25,398.00

+215.61

(+0.86%)

25,279

+290

(+1.16%)

低水119

8,507.55

+81.73

(+0.97%)

4,960.38

+76.15

(+1.56%)

3,168.26億

4,057.74

-10.83

(-0.266%)

4,844.26

-47.86

(-0.978%)

15,340.36

-234.77

(-1.507%)

2,832.31

-43.65

(-1.52%)

72,862.1700

-812.2200

(-1.102%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6370

歐元最佳客戶買入價

9.1559

英鎊最佳客戶買入價

10.5713

日圓最佳客戶買入價

4.9263

／

／

CSP

9.890
+0.170
(+1.749%)

最高
10.100

最低
9.550

成交股數
2.23萬

成交金額
21.51萬

前收市
9.720

開市
9.680

盤後

9.890
0.000
(0.000%)

最高
9.890

最低
9.890

成交股數
1,091.00

成交金額
1.08萬

買入
8.280

賣出
12.970

市值
9.79千萬

貨幣
USD

交易宗數
683

每宗成交金額
315

波幅
7.559%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/--

周息率/預期
1.54%/1.26%

10日股價變動
4.767%

風險率
1.613

振幅率
7.900%

啤打系數
1.450

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)