25,182.39

+176.23

(+0.70%)

25,098

+109

(+0.44%)

低水84

8,425.82

+61.41

(+0.73%)

4,884.23

-4.35

(-0.09%)

4,620.70億

4,068.57

-30.07

(-0.734%)

4,892.12

-22.09

(-0.450%)

15,575.13

-286.76

(-1.808%)

2,875.96

-12.29

(-0.43%)

73,424.6300

-36.1500

(-0.049%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1600

澳元最佳客戶買入價

5.6290

歐元最佳客戶買入價

9.1519

英鎊最佳客戶買入價

10.5592

日圓最佳客戶買入價

4.9420

／

／

Enel Chile SA

4.330
+0.040
(+0.932%)

最高
4.385

最低
4.270

成交股數
53.82萬

成交金額
1.08百萬

前收市
4.290

開市
4.270

盤後

4.330
0.000
(0.000%)

最高
4.500

最低
4.330

成交股數
7.20萬

成交金額
9.17萬

買入
4.200

賣出
4.900

市值
59.34億

貨幣
USD

交易宗數
1732

每宗成交金額
622

波幅
7.303%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
11.33/--

周息率/預期
4.50%/4.50%

10日股價變動
1.882%

風險率
0.365

振幅率
3.402%

啤打系數
0.926

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)