25,391.76

+209.37

(+0.83%)

25,253

+264

(+1.06%)

低水139

8,504.36

+78.54

(+0.93%)

4,964.51

+80.28

(+1.64%)

2,470.12億

4,059.91

-8.66

(-0.213%)

4,851.15

-40.97

(-0.837%)

15,388.67

-186.46

(-1.197%)

2,838.76

-37.20

(-1.29%)

73,256.3000

-418.0900

(-0.567%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6425

歐元最佳客戶買入價

9.1497

英鎊最佳客戶買入價

10.5682

日圓最佳客戶買入價

4.9266

／

／

攀登者

18.770
-0.330
(-1.728%)

最高
19.310

最低
18.595

成交股數
2.94萬

成交金額
62.43萬

前收市
19.100

開市
18.990

盤後

18.770
0.000
(0.000%)

最高
18.770

最低
18.770

成交股數
1,551.00

成交金額
2.91萬

買入
15.750

賣出
19.310

市值
2.64億

貨幣
USD

交易宗數
564

每宗成交金額
1,107

波幅
3.282%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
17.05/15.45

周息率/預期
3.15%/3.18%

10日股價變動
0.833%

風險率
2.287

振幅率
2.889%

啤打系數
0.319

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)