25,768.86

+370.68

(+1.46%)

25,641

+397

(+1.57%)

低水128

8,681.40

+173.53

(+2.04%)

5,144.51

+179.59

(+3.62%)

1,387.15億

4,055.72

-2.02

(-0.050%)

4,872.87

+28.61

(+0.591%)

15,442.68

+102.32

(+0.667%)

2,875.25

+42.94

(+1.52%)

70,813.9800

-594.9200

(-0.833%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1613

澳元最佳客戶買入價

5.6173

歐元最佳客戶買入價

9.1344

英鎊最佳客戶買入價

10.5609

日圓最佳客戶買入價

4.9196

／

／

Finward Bancorp

32.820
-0.160
(-0.485%)

最高
33.000

最低
32.385

成交股數
1.19萬

成交金額
37.29萬

前收市
32.980

開市
32.540

盤後

32.820
0.000
(0.000%)

最高
32.820

最低
32.820

成交股數
15.00

成交金額
517.37

買入
13.140

賣出
52.560

市值
1.43億

貨幣
USD

交易宗數
474

每宗成交金額
787

波幅
5.781%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
14.40/--

周息率/預期
1.09%/1.47%

10日股價變動
2.021%

風險率
3.495

振幅率
3.188%

啤打系數
0.250

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 01/06/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)