25,360.00
+177.61
(+0.71%)
25,251
+262
(+1.05%)
低水109
8,496.16
+70.34
(+0.83%)
4,954.74
+70.51
(+1.44%)
3,087.23億
4,057.74
-10.83
(-0.266%)
4,844.26
-47.86
(-0.978%)
15,340.36
-234.77
(-1.507%)
2,832.31
-43.65
(-1.52%)
72,955.3800
-719.0100
(-0.976%)
Heron Therapeutics
  • 0.870
  • -0.022
  • (-2.444%)
  • 最高
  • 0.890
  • 最低
  • 0.850
  • 成交股數
  • 1.83百萬
  • 成交金額
  • 1.44百萬
  • 前收市
  • 0.892
  • 開市
  • 0.873
  • 盤後
  • 0.885
  • 0.015
  • (+1.724%)
  • 最高
  • 0.894
  • 最低
  • 0.865
  • 成交股數
  • 2.13萬
  • 成交金額
  • 1.62萬
  • 買入
  • 0.800
  • 賣出
  • 4.000
  • 市值
  • 1.69億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 4541
  • 每宗成交金額
  • 316
  • 波幅
  • 9.548%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/7.83
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 1.245%
  • 風險率
  • 0.374
  • 振幅率
  • 4.153%
  • 啤打系數
  • 3.858

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

  《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布,推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰,該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件,能大幅降低產品運作時的發熱量。

 

  有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式,SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件,直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道,成功使系統熱阻大幅下降超過30%,確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)

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