25,421.59

+239.20

(+0.95%)

25,257

+268

(+1.07%)

低水165

8,517.04

+91.22

(+1.08%)

4,971.47

+87.24

(+1.79%)

3,213.25億

4,057.74

-10.83

(-0.266%)

4,844.26

-47.86

(-0.978%)

15,340.36

-234.77

(-1.507%)

2,832.31

-43.65

(-1.52%)

72,842.2700

-832.1200

(-1.129%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6370

歐元最佳客戶買入價

9.1559

英鎊最佳客戶買入價

10.5713

日圓最佳客戶買入價

4.9263

／

／

金石保險

14.870
-0.480
(-3.127%)

最高
15.470

最低
14.840

成交股數
10.32萬

成交金額
1.30百萬

前收市
15.350

開市
15.350

買入
13.010

賣出
16.500

市值
2.22億

貨幣
USD

交易宗數
1283

每宗成交金額
1,017

波幅
7.733%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
6.95/8.53

周息率/預期
1.30%/1.26%

10日股價變動
-1.913%

風險率
1.022

振幅率
3.746%

啤打系數
0.809

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)