25,327.73

+145.34

(+0.58%)

25,201

+212

(+0.85%)

低水127

8,494.72

+68.90

(+0.82%)

4,945.61

+61.38

(+1.26%)

1,618.66億

4,054.25

-14.32

(-0.352%)

4,845.25

-46.87

(-0.958%)

15,394.26

-180.87

(-1.161%)

2,834.52

-41.44

(-1.44%)

73,920.2800

+245.8900

(0.334%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6393

歐元最佳客戶買入價

9.1442

英鎊最佳客戶買入價

10.5619

日圓最佳客戶買入價

4.9251

／

／

LiveWire Group

1.410
-0.090
(-6.000%)

最高
1.500

最低
1.400

成交股數
11.42萬

成交金額
9.29萬

前收市
1.500

開市
1.490

盤後

1.410
0.000
(0.000%)

最高
1.440

最低
1.400

成交股數
1.03萬

成交金額
1,504.21

買入
1.390

賣出
1.560

市值
3.07億

貨幣
USD

交易宗數
605

每宗成交金額
154

波幅
13.854%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/--

周息率/預期
--/--

10日股價變動
9.302%

風險率
1.453

振幅率
5.825%

啤打系數
3.116

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)