25,421.79

+239.40

(+0.95%)

25,300

+311

(+1.24%)

低水122

8,519.61

+93.79

(+1.11%)

4,973.52

+89.29

(+1.83%)

2,930.35億

4,057.74

-10.83

(-0.266%)

4,844.26

-47.86

(-0.978%)

15,340.36

-234.77

(-1.507%)

2,832.31

-43.65

(-1.52%)

73,012.3700

-662.0200

(-0.899%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6354

歐元最佳客戶買入價

9.1505

英鎊最佳客戶買入價

10.5697

日圓最佳客戶買入價

4.9263

／

／

Modiv Industrial

18.160
-0.310
(-1.678%)

最高
18.460

最低
18.150

成交股數
7.60萬

成交金額
50.77萬

前收市
18.470

開市
18.410

盤後

18.160
0.000
(0.000%)

最高
18.160

最低
18.160

成交股數
8,585.00

成交金額
5.68萬

買入
15.980

賣出
20.640

市值
1.92億

貨幣
USD

交易宗數
1028

每宗成交金額
494

波幅
2.253%

交易所
NYSE

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-132.64

周息率/預期
6.89%/6.49%

10日股價變動
-0.165%

風險率
0.954

振幅率
1.111%

啤打系數
-0.291

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)