25,414.15

+231.76

(+0.92%)

25,277

+288

(+1.15%)

低水137

8,512.11

+86.29

(+1.02%)

4,974.04

+89.81

(+1.84%)

2,443.30億

4,063.22

-5.35

(-0.131%)

4,856.80

-35.32

(-0.722%)

15,415.04

-160.09

(-1.028%)

2,840.93

-35.03

(-1.22%)

73,294.2100

-380.1800

(-0.516%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6425

歐元最佳客戶買入價

9.1497

英鎊最佳客戶買入價

10.5682

日圓最佳客戶買入價

4.9266

／

／

US GoldMining

10.200
+0.090
(+0.890%)

最高
10.520

最低
9.800

成交股數
10.60萬

成交金額
94.92萬

前收市
10.110

開市
10.120

盤後

10.010
-0.190
(-1.863%)

最高
10.290

最低
10.000

成交股數
249.00

成交金額
2,465.74

買入
9.500

賣出
15.020

市值
1.35億

貨幣
USD

交易宗數
1333

每宗成交金額
712

波幅
13.448%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
--/-20.63

周息率/預期
--/--

10日股價變動
-15.842%

風險率
1.983

振幅率
4.959%

啤打系數
2.013

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 29/05/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)