半導體股 | FOCUS | 長鑫「屠龍」易，「1到100」難

　　周一（27日）上市即問鼎A股股王的長鑫科技（滬：688825），震散SK海力士、閃迪等記憶體巨頭的高估值之際，一則「國產DUV量產」的小作文，再拖累荷蘭光刻機巨頭ASML股價重挫。全球半導體格局陡然生變，皆因「從0到1」的中國躋身牌桌之上，連帶十年磨一劍的合肥國資亦獲封神。然而，資本狂歡背後，物理、產業定律的現實不容忽視。

 

記憶體「光伏化」非天方夜譚

 

　　記憶體「光伏化」？當SK海力士、閃迪股價較高位回吐近半，三星、美光亦回吐40%、28%，由長鑫（包括即將上市的長江存儲）領銜的國產替代潮，印證此並非天方夜譚。

 

 

　　更耐人尋味的是，緊接周一深夜，外媒「爆料」中國已量產浸沒式深紫外光刻機，並將供應長鑫、中芯（00981）、華虹（01347），是繼內媒去年放風國產28納米光刻機正式交付後，又一劍指硬件突圍的小作文，ASML股價聞聲重挫5.8%。

 

　　無論是長鑫「屠龍」，還是國產DUV爭鋒，都意味「從0到1」直接衝擊海外大廠的護城河。盡管長鑫首季淨利潤不到三星的15%，但市值已近後者的一半，足顯國策背書的溢價效應。

 

勿忽視代際、產能、良率差距

 

　　不過，資本市場的情緒歸情緒，冷靜下來不妨看看產業現實。長鑫以十年為期，成功突破SK海力士、三星、美光在DRAM市場的壟斷，但在決定AI算力上限的HBM（高帶寬內存），據報仍處於測試樣品（HBM3）階段，而SK海力士早在四年前就已實現投產。此外，盡管長鑫今次上市募資將用於生產線升級，但鑒於美國出口管制，坊間預計其產能需待2030年方有望超越美光。

 

　　至於光刻機，工程學的壁壘遠比記憶體更難逾越。即使通過多重曝光能實現7納米製程，但在關鍵的重疊對準精度、吞吐量（每小時處理晶圓數）、良率、穩定性等方面，都難匹敵ASML，更遑論後者的技術已迭代至High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）。

 

ASML下一代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV），一台要價4億美元。

 

　　簡而言之，資本狂歡推升長鑫一飛衝天，疊加光刻機量產消息降維打擊巨頭壟斷，固然反映「從0到1」的國家意志，但未來要實現「從1到100」，仍需遵循物理定律、產業規律。

撰文:金子安